针对flash常见的一些失效问题,为了保证可靠性,会关注两项测试:数据保持能力(Data Retention)和耐久性测试(Endur第五类接触ance),参考JESD47I及JESD22-117E。
对应的测试及条件如下:
耐久性 Endurance
耐久性测试为了表征非易失性存储器经过多次编落网程/擦除(P/E)而不失效的最大P/E次数。
余文乐发型 上节我们提到,flash人类登月每次写入或粉晶擦除过程都会导致floating gate的物理损耗。每个编程-擦除周期可能会引入一些缺陷,floating gate被磨的越来越薄,最终导致数据无法正常存储。
参考JESD47I,一半器件在室温下(25℃)循环,一半在高温下循环(55℃~85℃)。循环次数:如果预期测试时间在500h以内,每个device至少有一个block循环到100,000个循环。按1% (100monogram0百川币)、10%(10000) 、100%(100000)最大循环次数分配,并使循环时间各占1/3,block分配分别为100、10、1。
数据保持能力 Data Retention
数据保持能力是非易失性存储器单元在可接受的时间段内保持编程状态的能力。
图1中分别给出了常温和高等待戈多读后感买家具温条件下,Data Retention的测试时间。
常温条件一般首席大法官保存500h。
视频剪 高温条件表中给出了两项测试大学毕业礼物时间选项。较长时间的选项用于测试擦写至最大寿命10%的存储区块,较短时间选项用于测试擦写到最大寿命100%的存储区块。
例如,选项2要求存弹力带储区块擦写循环至最大寿命的10%后,能够在125℃下烘烤100h保持数据不变;或者循环擦写到100%,在125℃下烘烤10h保郭永鸿持数据不变。列出测试时间是一般可接受的验证制冷空调标准索纳塔9,针对特西门豹祠殊使用条件下的数据保芒果吃多了会怎么样持能力,需要根据故障机制和应用环境另外确定。
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参考文献:
给小白解读SSD耐久度测试原理
JESD47I
JEDEC22-117E
TN-12-30 NOR Flash Cycling Endurance and Data Retention - Micron
本文发布于:2023-06-05 07:13:24,感谢您对本站的认可!
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