DDR4记忆体

第一款样品

三星电子2011年1月4日宣布，已经完成了历史上第一款DDR4DRAM规格记忆体条的开发，并採用30nm级工艺製造了首批样品。

数据规格

DDR4记忆体的标準规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭藉新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3记忆体的标準频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4记忆体就可以节能最多40%。根据此前的规划，DDR4记忆体频率最高有可能高达4266MHz，电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。三星表示，这条DDR4记忆体使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3记忆体的一半。三星称，2010年12月底已经向一家控制器製造商提供了这种DDR4记忆体条的样品进行测试，并计画与多家记忆体厂商密切合作，帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标準规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。