pn结耗尽层

更新时间:2025-05-16 03:52:21 阅读: 评论:0

pn结耗尽层

pn结耗尽层是半导体器件中採用最广泛的一个概念,即认为pn结的空间电荷区是一个完全不存在载流子的区域,称为pn结耗尽层;这实际上对于一般的pn结都是一种很好的近似。不管是在分析pn结的势垒电容、还是分析pn结的击穿特性时,无不採用这个耗尽层近似的概念,因为如果不採用该近似的话,问题就变得很複杂,几乎难以进行精确的分析处理。

基本介绍

中文名:pn结耗尽层 类型:採用最广泛的一个概念, 定义:电子专用术语 特点:存在有较强的内建电场

pn结的空间电荷区中存在有较强的内建电场,其中的载流子基本上都被该内建电场驱赶出去了,因此,通常可以认为空间电荷区中的电荷几乎完全是由电离杂质中心所提供的,即主要是电离的施主和受主杂质中心的电荷,这种空间电荷区就称为耗尽层(意即其中的载流子——电子和空穴都被耗尽了)。对于一般的pn结,通常在空间电荷层中的载流子数量不会太多,因此常常可以近似认为空间电荷层中的电荷绝大多数是由电离杂质中心所提供的,即可简单地把空间电荷层近似地看成是耗尽层,这就是所谓的耗尽层近似

本文发布于:2023-03-26 02:14:22,感谢您对本站的认可!

本文链接:http://www.ranqi119.com/to/1679977465242424.html

版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。

标签:pn
留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码:
Copyright ©2019-2022 Comsenz Inc.Powered by © 站长QQ:55-9-10-26|友情:优美诗词|电脑我帮您|扬州装修|369文学|学编程|软件玩家|水木编程|编程频道